三星切换到LPDDR4和UFS 2.0内存，但这是什么意思？

本周早些时候，我们看了三星的新Exynos 7420 Soc，这只是挤入Galaxy S6的新技术之一。三星还以更快的LPDDR4 RAM内存和内部存储器设计为新设计UFS 2.0标准。

UFS 2.0内部内存取代了大多数上一代手机中发现的常见EMMC 5.0 / 5.1标准。我们已经上周涵盖了技术，从本质上讲，它是为了更快地从内部存储中读取和写作，允许同时读取/写入过程，并优先考虑传入命令以尽快执行它们。

尽管闪存并不特别介意如何布置数据，但是在处理大型文件大小时，顺序读取速度可能很重要。特别是当涉及大型高清视频，无损音频或游戏资产时，通常将其整齐地存储在硬盘驱动器上的大量数据中。但是，新出版Androbench比较让我们更仔细地了解与上一代手机相比标准的能力。

但是，基准并不一定代表现实世界的性能，您不会注意到日常任务中的这些速度差异。但是，当涉及到媒体的大量读取或数据撰写时，UFS 2.0显然是EMMC 5.0以上的削减。

新的LPDDR4 RAM是三星最新记忆安排的另一半，它是常见的LPDDR3的继任者。高通的Snapdragon 810 SoC还具有LPDRR4内存。

RAM不是存储大型永久文件，而是应用程序使用的临时内存和用于处理的操作系统。LPDDR4可提供比LPDDR3的50％的性能提升，具体取决于实施。游戏的目的是增加内存带宽，这使RAM内存和手机处理器之间的通信更快。

当涉及内存密集型应用程序时，这一点尤其重要。同样，我们正在研究以媒体为中心的场景，在那里必须以最小的延迟来移动大量数据。一个示例是慢动作视频，其中120个图像帧必须每秒存储在RAM内存中。在2K或4K分辨率下，这是很多数据要推出的数据，在这些类型的应用程序中，其他带宽非常重要。游戏也是这里的潜在恩人，因为移动GPU必须从主内存池中汲取资源。在较大的显示决议下，带宽要求大大增加。

三星的Galaxy S6 LPDDR4具有1552MHz的时钟速度。假设标准的双通道32位设计为先前的Exynos芯片，这使我们的带宽为24.8GB/s。为了进行比较，Snapdragon 810提供了类似的带宽，而Snapdragon 801中的较旧的LPDDR3的带宽为12.8GB/s，Exynos 5433提供13.2GB/s。

但是，这些只是上限，现实世界的结果很少维持这个带宽。带宽和性能之间也没有直接的一对一关系。我们自己的Antutu测试显示出不错的性能增长，但建议提高50％。像UFS 2.0一样，您只能在某些特定情况下注意到这种改进。

除了速度提升之外，LPDDR4还将内存的核心电压降低到1.1伏，从1.2伏降低，并在0.4伏特上实现低压秋千逻辑。鉴于内存的频率，这旨在帮助节省能源消耗，这在电池供电的智能手机中尤为重要。

总而言之，转移到LPDDR4和UFS 2.0是对系统内存的互补改进，当涉及到高分辨率媒体播放和捕获，游戏以及更大的文件传输和下载时，这将特别有用。这里的变化只是三星Galaxy S6中引入的众多改进之一，与过去的星系手机相比，它应该（希望）带来总体优越的体验。