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三星宣布推出基于14NM FinFET过程的Exynos 7 Octa SoC

三星宣布其14nm Finfet技术已准备好批量生产,新的Exynos 7 Octa Soc将是第一个使用该过程的芯片。
经过
2015年2月16日
三星Galaxy Logo 2

在星期天,三星宣布其下一代14nm芯片制造工艺现已准备好进行大规模生产。预计较小的更节能的芯片将为一系列未来的三星产品供电,并且该技术也可能用于生产竞争公司的芯片,例如苹果和Qualcomm.

随着宣布,三星还推出了使用其14nm FinFET技术生产的第一款将是其64位Exynos 7 Octa Mobile SoC的更新版本。芯片的确切规格尚未公布,但新的Exynos 7 Octa预计将成为其即将到来的Galaxy S6选择的三星的选择芯片。如果是真,这将是三星的一个大变化,因为公司会将Qualcomm作为主要芯片供应商为其旗舰产品。

14nm finfet三星globalfoundries

14NM FinFET据说,与公司现有的20NM技术相比,速度高达20%,功耗较低35%。这是硅“翅片”施工技术,这对于帮助缩小这些芯片的尺寸至关重要。环绕栅极结构可减少漏电流,允许晶体管挤压甚至在没有问题的情况下挤压。

预计三星的14nm技术的到来将使该公司在今年的竞争对手中得到显着优势。高通公司即将到来的高端Snapdragon 810 SoC.将在TSMC的最薄20nm过程中生产。它的16nm finfet过程不太可能准备批量生产,直到季度晚些时候或2015年初的初点十二季度。