ARM根据TSMC的10nm FinFET制作移动测试芯片

ARM宣布，它将使用TSMC的10NM FinFET流程技术制作多核，64位ARM V8-A处理器测试芯片。芯片的物理设计已完成，并于2015年底将其发送到TSMC（称为“胶带”），该公司期望实际芯片即将到来。每个智能手机都有一个芯片上的系统（SOC），其中包括几个组件，包括CPU，GPU，内存控制器和其他一些巫师。来自ARM的测试芯片使用了名为Artemis的新的CPU核心代码以及一个非常简单的1个着色器版本的未指定的ARM MALI GPU，以及用于内存等的必要互连。

使用简单的芯片设计，在这种情况下是4个内核而不是8个，没有大。-Blown功能丰富的Soc。

尽管我们习惯于在从微波炉到智能手机的几乎所有内容中都有“硅芯片”，但这些芯片的制造并不容易。制造系统的参数之一被称为“过程节点”，它定义了晶体管的较小以及晶体管之间的间隙的较小。Snapdragon 652或Mediatek Helio X10之类的中端SOC是使用28nm（纳米）工艺构建的。Snapdragon 810使用了20nm的工艺，而三星的Exynos 7420（来自去年的旗舰设备）及其目前的Exynos 8890，使用了14nm工艺，称为14nm Finfet。为了将其置于某种情况下，用于英特尔486和较低速度CPU的过程为800nm。

移至10nm是驱动器的下一步，以缩小芯片中使用的晶体管的大小。测试芯片的目的是确保TSMC的制造过程完全运行，并能够处理大众生产SOC。It also gives ARM’s partners a head-start when it comes to designing their own SoCs using Artemis, as the lessons learnt from making the test chip will be passed on to them, as well as other important physical design elements like the design flow, methodology, and standard cell libraries.

ARM在16nm FinFET上启动Cortex-A72 CPU时也做了同样的事情，该芯片如今已在许多旗舰设备中使用华为伴侣8和华为P9。ARM也正在与TSMC合作对于此之后的下一个过程节点，7nm。

基于10nm的Artemis CPU的功率/性能比将比在16nm FinFET上建造的Cortex-A72更好。

基于10nm的Artemis CPU的功率/性能比将比在16nm FinFET上建造的Cortex-A72更好，这对消费者来说对电池寿命和任何将使用Artemis构建的设备的速度都很好过程节点。当前的估计是，当使用10nm时，Artemis CPU可以在2.7或2.8GHz左右时钟，但是，如果使用16nm（而不是10nm）构建相同的CPU设计，则支持的时钟频率实际上将高于当前的Cortex-A72在16nm。

随着我们了解更多信息，我们将介绍新的Artemis Core的所有全部细节，因此请继续关注我们对ARM的最新CPU核心的报道。